사이리스터(영어: thyristor)는 PNPN 구조의 반도체 소자이다. 애노드(anode), 캐소드(cathode), 게이트(gate)의 세 단자를 가지고 있다. 게이트 단자가 P형 반도체에 달려 있으면 P게이트, N형 반도체에 달려 있으면 N게이트 사이리스터라고 부른다. 1956년 제너럴 일렉트릭(GE)에서 상용화했다.
이름의 유래[편집 | 원본 편집]
이름은 과거에 이용되던 thyratron이라는 전자 부품의 이름에 트랜지스터(transistor)를 합해 지어졌다. thyratron은 가스를 채운 튜브로, 스위칭에 이용되던 소자이다.
작동 방식[편집 | 원본 편집]
처음에는 전류가 흐르지 않다가, 게이트에 일정 이상의 전류를 흘려주면 애노드에서 캐소드 방향으로 전류를 흘릴 수 있는 도통 상태가 된다. 한번 도통되면 게이트에 전류를 흘리지 않거나 아예 역전류를 흘리더라도 도통 상태가 풀리지 않는다. 도통을 해제하기 위해서는 애노드에서 캐소드로 흐르는 전류를 일정치 이하로 낮게 만들면 된다.
장단점[편집 | 원본 편집]
장점[편집 | 원본 편집]
- 고전압, 대전류 제어에 용이하다.
- 제어 이득이 높다.
- 신뢰성이 높다.
- 저렴하다.
- 작고 가볍다.
단점[편집 | 원본 편집]
- 단방향 소자로 전류가 한 쪽으로만 흐르기 때문에 직류 전원을 제어할 때만 사용할 수 있다.
- 교류 회로에서는 전류의 방향이 바뀌면 도통 상태가 풀리기 때문에, 매 주기마다 다시 게이트에 전류를 흘려 도통시켜야 한다.