(→BJT) |
(→원리) |
||
| 9번째 줄: | 9번째 줄: | ||
== 원리 == | == 원리 == | ||
=== BJT === | === BJT === | ||
[[파일:NPN_BJT_단면도.svg|섬네일|NPN 타입 BJT 의 단면도]] | [[파일:NPN_BJT_단면도.svg|섬네일|오른쪽|NPN 타입 BJT 의 단면도]] | ||
BJT는 이미터(Emitter), 베이스(Base), 컬렉터(Collector)로 구성되어있다. 각각 E,B,C로 간략히 표현한다. | BJT는 이미터(Emitter), 베이스(Base), 컬렉터(Collector)로 구성되어있다. 각각 E,B,C로 간략히 표현한다. | ||
{{-}} | {{-}} | ||
==== 쉬운 설명 ==== | ==== 쉬운 설명 ==== | ||
[[파일:BJT simple circuit.JPG|섬네일|오른쪽|BJT를 이용한 공통 이미터 증폭기 회로]] | |||
베이스의 전류를 조절함으로써 컬렉터에 흐르는 전류를 조절할수 있다. 그런데, 베이스의 전류보다 컬렉터의 전류가 수십~수백배 크기 때문에,<ref>이 값을 β로 표현하며, 일반적으로 활성모드에서 50~200 사이의 값을 가진다. 특수한 트랜지스터는 β값이 1000 근처의 값을 가지기도 한다.</ref> 작은 전류로 큰 전류를 조절할수 있고, 이걸 이용하면 신호의 증폭이 가능하다. | 베이스의 전류를 조절함으로써 컬렉터에 흐르는 전류를 조절할수 있다. 그런데, 베이스의 전류보다 컬렉터의 전류가 수십~수백배 크기 때문에,<ref>이 값을 β로 표현하며, 일반적으로 활성모드에서 50~200 사이의 값을 가진다. 특수한 트랜지스터는 β값이 1000 근처의 값을 가지기도 한다.</ref> 작은 전류로 큰 전류를 조절할수 있고, 이걸 이용하면 신호의 증폭이 가능하다. | ||
{{-}} | {{-}} | ||
=== FET === | === FET === | ||
{{주석}} | {{주석}} | ||
[[분류:전자공학]] | [[분류:전자공학]] | ||
2015년 10월 28일 (수) 17:40 판
틀:토막글 트랜지스터는 증폭작용이나 스위칭 동작에 사용되는 반도체 소자다. 월터 브래튼, 존 바딘, 윌리엄 쇼클리가 벨 연구소에서 1947년에 발명하였고, 그 공로로 세명은 1956년 노벨 물리학상을 받았다.
종류
- 양극성 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor, BJT)
- 전계효과 트랜지스터 (Field Effect Transistor, FET)
- 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect transistor, MOSFET)
원리
BJT
파일:NPN BJT 단면도.svg
NPN 타입 BJT 의 단면도
BJT는 이미터(Emitter), 베이스(Base), 컬렉터(Collector)로 구성되어있다. 각각 E,B,C로 간략히 표현한다.
쉬운 설명
베이스의 전류를 조절함으로써 컬렉터에 흐르는 전류를 조절할수 있다. 그런데, 베이스의 전류보다 컬렉터의 전류가 수십~수백배 크기 때문에,[1] 작은 전류로 큰 전류를 조절할수 있고, 이걸 이용하면 신호의 증폭이 가능하다.
FET
각주
- ↑ 이 값을 β로 표현하며, 일반적으로 활성모드에서 50~200 사이의 값을 가진다. 특수한 트랜지스터는 β값이 1000 근처의 값을 가지기도 한다.