트랜지스터: 두 판 사이의 차이

2015년 10월 28일 (수) 16:37 판

틀:토막글 트랜지스터는 증폭작용이나 스위칭 동작에 사용되는 반도체 소자다. 월터 브래튼, 존 바딘, 윌리엄 쇼클리가 벨 연구소에서 1948년에 발명하였고, 그 공로로 세명은 1956년 노벨 물리학상을 받았다.

양극성 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor, BJT)
전계효과 트랜지스터 (Field Effect Transistor, FET)
금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect transistor, MOSFET)

NPN 타입 BJT 의 단면도

BJT는 이미터(Emitter), 베이스(Base), 컬렉터(Collector)로 구성되어있다. 각각 E,B,C로 간략히 표현한다.

베이스의 전류를 조절함으로써 컬렉터에 흐르는 전류를 조절할수 있다. 그런데, 베이스의 전류보다 컬렉터의 전류가 수십~수백배 크기 때문에,^[1] 작은 전류로 큰 전류를 조절할수 있고, 이걸 이용하면 신호의 증폭이 가능하다.

BJT를 이용한 공통 이미터 증폭기 회로

↑ 이 값을 β로 표현하며, 일반적으로 활성모드에서 50~200 사이의 값을 가진다. 특수한 트랜지스터는 β값이 1000 근처의 값을 가지기도 한다.

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-트랜지스터는 증폭작용이나 스위칭 동작에 사용되는 [[반도체]] 소자다. 월터 브래튼, 존 바딘, 윌리엄 쇼클리가 벨 연구소에서 1948년에 발명하였고, 그 공로로 세명은 1956년 노벨 물리학상을 받았다.
+트랜지스터는 증폭작용이나 스위칭 동작에 사용되는 [[반도체]] 소자다. 월터 브래튼, 존 바딘, 윌리엄 쇼클리가 벨 연구소에서 [[1948년]]에 발명하였고, 그 공로로 세명은 1956년 노벨 물리학상을 받았다.
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