반도체

제조 공정

반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼에 회로 배선을 다층으로 새겨 넣는 과정인 전공정(Front-End Process)과 웨이퍼를 작은 단위로 잘라 외부 전기 신호와의 접속을 위하여 성형하고 최종 검사하는 후공정(Back-End Process)으로 분류할 수 있다.

무어의 법칙(Moore's law)에 따라 반도체 집적회로의 성능이 18개월마다 2배씩 향상 되어왔다. 하지만 집적도가 높아질수록 회로의 발열문제가 발생하고 더 이상 집적도를 높이더라도 수익성이 크지 않아 무어의 법칙이 한계에 부딪히게 되었다. 이로 인해 반도체 칩을 생산하는 전공정에 비해 주목 받지 못했던 후공정에서 한계를 극복할 방법에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다.

1. 전공정 (Front-End)
   1. 반도체 웨이퍼(Wafer) 제조(FAB, Fabrication)
   2. EDS
2. 후공정 (Back-End)
   1. 반도체 패키지 공정 (Assembly 공정)
      1. 반도체 웨이퍼 다이싱 공정
   2. 반도체 패키지 테스트 공정