(새 문서: == 개요 == 반도체 소자의 핵심 원재료. DRAM, ASIC, TR, MOSFET, CMOS, PMOS, ROM 등 용도가 다양하다. 반도체 제조원가의 25% 가량을 차지한다. 원재...) |
(→개요) |
||
| 1번째 줄: | 1번째 줄: | ||
== 개요 == | == 개요 == | ||
[[반도체]] 소자의 핵심 원재료. DRAM, ASIC, TR, MOSFET, CMOS, PMOS, ROM 등 용도가 다양하다. | [[반도체]] 소자의 핵심 원재료. DRAM, ASIC, TR, MOSFET, CMOS, PMOS, ROM 등 용도가 다양하다. | ||
반도체 제조원가의 25% 가량을 차지한다. 원재료로는 1960년대까지는 Ge, GaAs 등을 사용했으나, 이후에는 실리콘을 사용한다. | 반도체 제조원가의 25% 가량을 차지한다. 원재료로는 1960년대까지는 Ge, GaAs 등을 사용했으나, 이후에는 실리콘을 사용한다. <ref> [www.kipo.go.kr/club/file.do?attachmentId=7708 한국과학정보기술원] (2009) </ref> | ||
== 실리콘 웨이퍼 == | == 실리콘 웨이퍼 == | ||
2017년 5월 30일 (화) 00:04 판
개요
반도체 소자의 핵심 원재료. DRAM, ASIC, TR, MOSFET, CMOS, PMOS, ROM 등 용도가 다양하다. 반도체 제조원가의 25% 가량을 차지한다. 원재료로는 1960년대까지는 Ge, GaAs 등을 사용했으나, 이후에는 실리콘을 사용한다. [1]
실리콘 웨이퍼
Ge 웨이퍼보다 Energy band gap이 넓어 (1.2eV) 비교적 고온(200℃)에서도 소자가 동작할 수 있고, 표면에 산화물 절연막을 쉽게 형성시킬 수 있다는 장점이 있다. 그 외에도 독성이 없어 환경적으로 우수하고, 모래 형태로 매우 싸게 재료를 구할 수 있다는 장점이 있다.
직경에 따라 4인치, 12인치, 18인치(450mm) 등으로 구분된다. 2014년 LG실트론이 450mm 웨이퍼를 출하하기 시작했다. 이후에도 웨이퍼의 대구경화는 중요한 과제다. 웨이퍼당 칩 생산량을 증가시키기 때문에 원가가 절감되기 때문이다. 하지만 대구경화를 실현하기 위해서는 새로운 팹 구축이 필요하므로 쉬운 문제는 아니다.
제조법은 CZ법과 FZ법의 두 개로 나뉜다. 대개의 웨이퍼는 CZ법으로 제작되고 있다. 다만, 높은 전압 - 높은 전력을 요구하는 고품질 반도체 제작에 FZ법이 제한적으로 이용되고 있다. [2]