반도체 웨이퍼 다이싱 공정

개요

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   1. 후공정
      1. 반도체 패키지 공정

Wafer Sawing Wafer Dicing

반도체 전공정에서 만들어진 웨이퍼를 일정 크기의 패턴을 개개의 칩으로 분리시키는 공정을 sawing 공정이라고 한다. 과거에는 휠을 이용하여 웨이퍼 두께의 80 - 90 % 정도를 자른 후, 황동 막대 등을 이용하여 개개의 칩으로 분리시킨 후 특별히 제작된 팩에 담아 다음 공정으로 진행하는 스크라이빙 한 후 브레이킹하는 방법을 사용하였다. 최근에는 웨이퍼를 테이프에 부착한 후 블레이드를 약 30000RPM 으로 회전시켜 웨이퍼의 두께를 100%까지 자르는 방법을 일반적으로 사용하고 있다.

오늘날 다중칩 모듈 구조를 갖는 반도체 제품은 디바이스 두께가 45 um 이하이다. 다이싱 공정에서 미세한 기계적 결함만 발생하더라도 신뢰성에 문제가 발생한다. 실리콘은 취성이 크다. 따라서 sawing 공정을 하면 쉽게 칩핑 손상이 발생한다.

sawing 속도를 감속하면 칩핑 손상은 줄어들지만 생산성이 저하되기 때문에 원가 부담이 생긴다. 하지만 sawing 속도가 너무 빠르면 다이싱 공정에서 기계적 결함이 발생한다. 따라서 최적치를 찾는 것이 어려운 과제이다.