개요[편집 | 원본 편집]
절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT; Insulated-gate Bipolar Transistor)는 콜렉터, 이미터, 게이트의 세 극을 가지는 트랜지스터로, 고전압, 대전류 상황에 적합하며 높은 효율과 괜찮은 스위칭 속도를 가지고 있다. 입력부는 MOSFET과 유사하며 출력부는 BJT와 유사한 구조를 가지고 있다.
구조[편집 | 원본 편집]
nMOS에 n타입의 drift region과 p타입의 콜렉터가 붙어있는 형태를 하고 있다.
사용 분야[편집 | 원본 편집]
2000년대 이후 나오는 전기를 사용하는 철도 차량의 인버터는 대부분 IGBT를 사용한다. 또한 전기자동차 등의 모터에도 사용되고 있다.