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# 전공정 이전 단계
# 전공정 이전 단계
## [[웨이퍼]], [[포토마스크]] 제조.  
## [[웨이퍼]], [[포토마스크]] 제조.  
# [[반도체 전공정]] (Front-End)
# 반도체 전공정 (Front-End)
## 포토 [[리소그래피]], 증착, 세정, 식각, 화학적기계적연마, 확산, 이온주입
## [[반도체 웨이퍼 가공 공정]] : 포토 [[리소그래피]], 증착, 세정, 식각, 화학적기계적연마, 확산, 이온주입
## [[EDS]]
## [[EDS]]
# 후공정 (Back-End)
# 후공정 (Back-End)

2017년 5월 28일 (일) 01:20 판

반도체(Semiconductor)는 전기 전도도가 도체부도체의 중간 정도 되는 물질을 말한다. 보통 반도체는 높은 온도에서 저항이 내려가는 성질을 갖고 있으며, 약간의 불순물을 첨가하면 자유전자나 양공을 형성해서 전류 방향에 따라 저항이 급격하게 변하는 점을 이용해서 트랜지스터나 그것이 더욱 집적된 LSI 등 전류를 제어하거나 연산 장치로 활용할 수 있는 장치를 만드는데 사용된다.

재료

초창기에는 게르마늄(Germanium)을 사용했으나, 비싼 가격이 큰 단점으로 작용하기에 근래 들어서는 일반적으로 지구상에 풍부한 규소(Silicon)를 많이 사용한다. 반도체에 사용하는 재료는 자유전자가 4개인 원소들인데, 이것에 (Phosphorus)이나 비소 같이 자유전자가 5개인 원소를 약간 첨가하면 자유전자가 많이 들어간 반도체가(N형 반도체), 붕소(Boron) 같이 자유전자가 3개인 원소를 약간 첨가하면 양공이 있는 반도체(P형 반도체)가 형성된다.

제조 공정

반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼에 회로 배선을 다층으로 새겨 넣는 과정인 전공정(Front-End Process)과 웨이퍼를 작은 단위로 잘라 외부 전기 신호와의 접속을 위하여 성형하고 최종 검사하는 후공정(Back-End Process)으로 분류할 수 있다. [1]

무어의 법칙(Moore's law)에 따라 반도체 집적회로의 성능이 18개월마다 2배씩 향상 되어왔다. 하지만 집적도가 높아질수록 회로의 발열문제가 발생하고 더 이상 집적도를 높이더라도 수익성이 크지 않아 무어의 법칙이 한계에 부딪히게 되었다. 이로 인해 반도체 칩을 생산하는 전공정에 비해 주목 받지 못했던 후공정에서 한계를 극복할 방법에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다. [2]

  1. 전공정 이전 단계
    1. 웨이퍼, 포토마스크 제조.
  2. 반도체 전공정 (Front-End)
    1. 반도체 웨이퍼 가공 공정 : 포토 리소그래피, 증착, 세정, 식각, 화학적기계적연마, 확산, 이온주입
    2. EDS
  3. 후공정 (Back-End)
    1. 반도체 패키지 공정 (Assembly 공정)
      1. 반도체 웨이퍼 다이싱 공정
    2. 반도체 패키지 테스트 공정

관련 회사

  • 장비 및 원재료 공급사
  • 종합 반도체 기업 (IDM; Integrated Device Manufacturer)
  • 팹리스(Fabless)사: 반도체 제조공정 중 전공정을 제3자에게 위탁하고 자신은 R&D와 마케팅에 집중하는 회사.
  • 파운드리(Foundry)사: 전공정(Front-end)을 전문적으로 대행하는 회사.
  • 어셈블리(Assembly)사: 후공정(Back-end)을 전문으로 하는 회사.

[3]

각주

  1. 박희남 및 박상철 (2016), Lot Size 와 이송단위 변경을 통한 반도체 패키징 공정 WIP 감소 사례
  2. 정영현 외(2017), 반도체 Package 공정에서 MCP(Multi-chip Package)의 Layer Sequence 제약을 고려한 스케쥴링 방법론, 한국시뮬레이션학회
  3. 김진-고경일 (2012), 글로벌 종합 반도체기업의 경영효율성에 관한 연구: 규모에 따른 초효율성 자료포락분석을 중심으로, 대한경영학회지