반도체 패키지 공정: 두 판 사이의 차이

(새 문서: Semiconductor Package == 개요 == 반도체의 칩은 수 많은 미세 전기회로들이 집적되어 있으며 자체로는 반도체의 역할을 할 수 없다. 또한 외부의...)
 
편집 요약 없음
1번째 줄: 1번째 줄:
Semiconductor Package
Semiconductor Package
== 개요 ==
== 개요 ==
반도체의 칩은 수 많은 미세 전기회로들이 집적되어 있으며 자체로는 반도체의 역할을 할 수 없다. 또한 외부의 물리적, 화학적 충격에 의해 손상 될 수 있다. 그러므로 반도체 칩에 필요한 전원을 공급하고 메인 PCB 간의 신호연결을 위해 전기적으로 연결하고 외부의 습기나 불순물불부터 보호될 수 있도록 포장하는데 필요한 공정이 후공정의 반도체 패키징 공정이다. 전자제품의 전체 전기신호 지연은 50% 이상이 패키지 지연에 의해 발생하며 그 지연은 시스템의 크기가 클 수록 더 증가할 것으로 예상 된다. 신제품의 출시 주기가 짧고 수많은 설비와 프로세스 스텝이 얽혀있어 가공 난이도가 높은 반도체 공정의 특성으로 인해 생산관리가 매우 어려운 산업이다. <ref> 박희남 및 박상철 (2016), Lot Size 와 이송단위 변경을 통한 반도체 패키징 공정 WIP 감소 사례 </ref>
[[반도체]]의 칩은 수 많은 미세 전기회로들이 집적되어 있으며 자체로는 반도체의 역할을 할 수 없다. 또한 외부의 물리적, 화학적 충격에 의해 손상 될 수 있다. 그러므로 반도체 칩에 필요한 전원을 공급하고 메인 PCB 간의 신호연결을 위해 전기적으로 연결하고 외부의 습기나 불순물불부터 보호될 수 있도록 포장하는데 필요한 공정이 후공정의 반도체 패키징 공정이다. 전자제품의 전체 전기신호 지연은 50% 이상이 패키지 지연에 의해 발생하며 그 지연은 시스템의 크기가 클 수록 더 증가할 것으로 예상된다. 신제품의 출시 주기가 짧고 수많은 설비와 프로세스 스텝이 얽혀있어 가공 난이도가 높은 반도체 공정의 특성으로 인해 생산관리가 매우 어려운 산업이다. <ref> 박희남 및 박상철 (2016), Lot Size 와 이송단위 변경을 통한 반도체 패키징 공정 WIP 감소 사례 </ref>


패키징 공정에서 높은 집적도로 인한 공간적 한계를 극복하기 위한 방법 중 하나가 [[MCP]](Multi-Chip Package)이다. <ref> 정영현 외(2017), 반도체 Package 공정에서 MCP(Multi-chip Package)의 Layer Sequence 제약을 고려한 스케쥴링 방법론, 한국시뮬레이션학회 </ref>
패키징 공정에서 높은 집적도로 인한 공간적 한계를 극복하기 위한 방법 중 하나가 [[MCP]](Multi-Chip Package)이다. <ref> 정영현 외(2017), 반도체 Package 공정에서 MCP(Multi-chip Package)의 Layer Sequence 제약을 고려한 스케쥴링 방법론, 한국시뮬레이션학회 </ref>
8번째 줄: 8번째 줄:
=== Back Grinding ===
=== Back Grinding ===
B/G
B/G
웨이퍼에서 반도체의 역할은 하는 부분은 일부분뿐이며 대부분 전기적 신호와 무관한 실리콘 덩어리이다. 패키징 시에 칩을 적층 하거나 얇게 하기 위해 얇은 웨이퍼를 요구하게 되는데 이 때 웨이퍼 뒷면을 갈아서 얇게 만드는 공정을 와이퍼 back grinding 공정 이라고 한다. 웨이퍼 뒷면의 불필요한 막을 제거하고, 두꺼운 뒷면을 깎아 저항을 줄이고 열전도율의 향상할 수 있도록 하며 전자기기의 소형, 박형, 경량화를 위해 필요하다. 현재 가장 일반적인 방법으로는 기계적으로 웨이퍼를 갈아낸 후 최종 폴리싱 공정을 거쳐 원하는 두께의 웨이퍼를 만들어 낸다.
웨이퍼에서 반도체의 역할을 하는 부분은 일부분뿐이며 대부분 전기적 신호와 무관한 실리콘 덩어리이다. 패키징 시에 칩을 적층하거나 얇게 하기 위해 얇은 웨이퍼를 요구하게 되는데 이 때 웨이퍼 뒷면을 갈아서 얇게 만드는 공정을 와이퍼 'back grinding 공정'이라고 한다. 웨이퍼 뒷면의 불필요한 막을 제거하고, 두꺼운 뒷면을 깎아 저항을 줄이고 열전도율의 향상할 수 있도록 하며 전자기기의 소형, 박형, 경량화를 위해 필요하다. 현재 가장 일반적인 방법으로는 기계적으로 웨이퍼를 갈아낸 후 최종 폴리싱 공정을 거쳐 원하는 두께의 웨이퍼를 만들어 낸다.


=== Sawing ===
=== Sawing ===
반도체 전공정에서 만들어진 웨이퍼를 일정 크기의 패턴을 개개의 칩으로 분리시키는 공정을 sawing 공정이라고 한다. 과거에는 휠을 이용하여 웨이퍼 두께의 80 - 90 % 정도를 자른 후, 황동 막대 등을 이용하여 개개의칩으로 분리시킨 후 특별히 제작된 팩에 담아 다음 공정으로 진행하는 스크라이빙 한 후 브레이킹하는 방법을 사용하였으며 최근에는 웨이퍼를 테이프에 부착한 후 블레이드를 약 30000RPM 으로 회전시켜 웨이퍼의 두께를 100%까지 자르는 방법을 일반적으로 사용하고 있다.  
반도체 전공정에서 만들어진 웨이퍼를 일정 크기의 패턴을 개개의 칩으로 분리시키는 공정을 sawing 공정이라고 한다. 과거에는 휠을 이용하여 웨이퍼 두께의 80 - 90 % 정도를 자른 후, 황동 막대 등을 이용하여 개개의 칩으로 분리시킨 후 특별히 제작된 팩에 담아 다음 공정으로 진행하는 스크라이빙 한 후 브레이킹하는 방법을 사용하였다. 최근에는 웨이퍼를 테이프에 부착한 후 블레이드를 약 30000RPM 으로 회전시켜 웨이퍼의 두께를 100%까지 자르는 방법을 일반적으로 사용하고 있다.  


=== Attach 공정 ===
=== Attach 공정 ===

2017년 5월 27일 (토) 19:30 판

Semiconductor Package

개요

반도체의 칩은 수 많은 미세 전기회로들이 집적되어 있으며 자체로는 반도체의 역할을 할 수 없다. 또한 외부의 물리적, 화학적 충격에 의해 손상 될 수 있다. 그러므로 반도체 칩에 필요한 전원을 공급하고 메인 PCB 간의 신호연결을 위해 전기적으로 연결하고 외부의 습기나 불순물불부터 보호될 수 있도록 포장하는데 필요한 공정이 후공정의 반도체 패키징 공정이다. 전자제품의 전체 전기신호 지연은 50% 이상이 패키지 지연에 의해 발생하며 그 지연은 시스템의 크기가 클 수록 더 증가할 것으로 예상된다. 신제품의 출시 주기가 짧고 수많은 설비와 프로세스 스텝이 얽혀있어 가공 난이도가 높은 반도체 공정의 특성으로 인해 생산관리가 매우 어려운 산업이다. [1]

패키징 공정에서 높은 집적도로 인한 공간적 한계를 극복하기 위한 방법 중 하나가 MCP(Multi-Chip Package)이다. [2]

세부 공정

Back Grinding

B/G 웨이퍼에서 반도체의 역할을 하는 부분은 일부분뿐이며 대부분 전기적 신호와 무관한 실리콘 덩어리이다. 패키징 시에 칩을 적층하거나 얇게 하기 위해 얇은 웨이퍼를 요구하게 되는데 이 때 웨이퍼 뒷면을 갈아서 얇게 만드는 공정을 와이퍼 'back grinding 공정'이라고 한다. 웨이퍼 뒷면의 불필요한 막을 제거하고, 두꺼운 뒷면을 깎아 저항을 줄이고 열전도율의 향상할 수 있도록 하며 전자기기의 소형, 박형, 경량화를 위해 필요하다. 현재 가장 일반적인 방법으로는 기계적으로 웨이퍼를 갈아낸 후 최종 폴리싱 공정을 거쳐 원하는 두께의 웨이퍼를 만들어 낸다.

Sawing

반도체 전공정에서 만들어진 웨이퍼를 일정 크기의 패턴을 개개의 칩으로 분리시키는 공정을 sawing 공정이라고 한다. 과거에는 휠을 이용하여 웨이퍼 두께의 80 - 90 % 정도를 자른 후, 황동 막대 등을 이용하여 개개의 칩으로 분리시킨 후 특별히 제작된 팩에 담아 다음 공정으로 진행하는 스크라이빙 한 후 브레이킹하는 방법을 사용하였다. 최근에는 웨이퍼를 테이프에 부착한 후 블레이드를 약 30000RPM 으로 회전시켜 웨이퍼의 두께를 100%까지 자르는 방법을 일반적으로 사용하고 있다.

Attach 공정

웨이퍼를 독립적인 기능을 가진 각각의 개별칩으로 분리한 후 직접회로를 리드 프레임에 접착제를 도포한 후 접착시키는 공정을 attach 공정이라 한다.

고온에 견디는 세라믹 등을 기판으로 이용하는 다이 attach 에는 유테틱 기술이 이용될 수 있다. 이 방법의 매개물로는 프리폼이라고 불리는 일종의 솔더를 이용한다.

유테틱에 이어 저변화 되어 있는 방법이 흔히 말하는 에폭시 attach 이며 일반 상업용으로 사용되는 소자에는 주로 상대적으로 접착 후의 신뢰도가 낮은 고분자를 이용한 접착물이 칩 attach 용으로 사용된다. 이것은 에폭시, 폴리이미드, 아크릴레이트 등을 기본으로 하여 사용하고자 하는 목적에 맞게 여러 가지 첨가물을 넣어 만든다. 여러 종류의 제품 중에서 우리가 주로 많이 사용하는 것은 은가루를 첨가하여 전기가 통할 수 있도록 만들어진 제품이며, 이렇게 은가루가 있기 때문에 대부분의 제품들이 회색으로 보인다.

Wire bonding 공정

실리콘이나 갈륨아세나이드를 소재로 하여 제조된 칩의 단자와 칩이 올려지는 기판을 전기적으로 연결하여 칩에 내장된 그 기능의 출력이 가능하게 하는 공정이다. Wire bonding 공정의 기본은 압력, 열, 초음파 에너지의 결합과 응용으로 열음파 방식, 초음파 방식, 열 압착 방식으로 구분할 수 있다. Wire bonding 공정에서는 칩과 리드프레임을 가는 고순도 금, 알루미늄, 구리선을 이용하여 상호 연결하게 된다.

Molding 공정

Wire bonding 공정이 끝난 반도체가 공기 또는 외부에 대한 부식 등 여러 가지 원인에 의한 전기적인 열화로부터 보호되고 기계적인 안정성을 도모하면서 반도체에서 발생하는 열의 효과적인 발산을 할 수 있도록 밀봉하는 공정이다. 에폭시 수지를 바탕으로 하는 열 경화성 수지를 이용해 소자 전체를 감싸주는 방법으로 열과 압력을 이용하여 열 경화성 수지를 액체로 변화시켜 반도체 칩을 둘러싸게 하는 방법이 Molding 이다. 칩을 둘러싼 액체는 순간적인 화학 반응을 이용하여 다시 고체 상태가 된다.

Singulation 공정

리드프레임이나 PCB 같은 스트립 상에 붙어있는 패키지들을 하나하나 각각의 개별화된 패키지로 나누는 공정으로 제품의 사양 용도에 적합하도록 인쇄회로기판의 불필요한 부분을 전기적으로 독립시켜 주어 독자적인 기능을 갖게 하는 역할을 하며 이후 테스트에 적합하도록 한다.

각주

  1. 박희남 및 박상철 (2016), Lot Size 와 이송단위 변경을 통한 반도체 패키징 공정 WIP 감소 사례
  2. 정영현 외(2017), 반도체 Package 공정에서 MCP(Multi-chip Package)의 Layer Sequence 제약을 고려한 스케쥴링 방법론, 한국시뮬레이션학회