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반도체: 두 판 사이의 차이

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[[분류:전자공학]]
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2017년 5월 27일 (토) 19:54 판

제조 공정

반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼에 회로 배선을 다층으로 새겨 넣는 과정인 전공정(Front-End Process)과 웨이퍼를 작은 단위로 잘라 외부 전기 신호와의 접속을 위하여 성형하고 최종 검사하는 후공정(Back-End Process)으로 분류할 수 있다. [1]

무어의 법칙(Moore's law)에 따라 반도체 집적회로의 성능이 18개월마다 2배씩 향상 되어왔다. 하지만 집적도가 높아질수록 회로의 발열문제가 발생하고 더 이상 집적도를 높이더라도 수익성이 크지 않아 무어의 법칙이 한계에 부딪히게 되었다. 이로 인해 반도체 칩을 생산하는 전공정에 비해 주목 받지 못했던 후공정에서 한계를 극복할 방법에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다. [2]

  1. 후공정
    1. 반도체 패키지 공정

각주

  1. ↑ 박희남 및 박상철 (2016), Lot Size 와 이송단위 변경을 통한 반도체 패키징 공정 WIP 감소 사례
  2. ↑ 정영현 외(2017), 반도체 Package 공정에서 MCP(Multi-chip Package)의 Layer Sequence 제약을 고려한 스케쥴링 방법론, 한국시뮬레이션학회